Productos | Noticias | 02 NOV 2010

Intel, Toshiba y Samsung trabajan por llevar las memorias NAND hasta los 10 nanómetros

Tags: Actualidad
Tres extraños compañeros de juego han decidido unir sus fuerzas para reducir a la mitad el tamaño de la tecnología utilizada para fabricar microprocesadores y chips de memoria NAND flash. Se trata de un esfuerzo con el que pretenden incrementar la densidad y capacidad de los discos de estado sólido, SSD y crear CPU más rápidas que utilicen menos energía.
Paula Bardera

Según un informe de Reuters, Intel, Toshiba y Samsung han llegado a un acuerdo de desarrollo conjunto para reducir el tamaño de la circuitería de las memorias NAND flash y que pasen de los actuales 20 nanómetros, recientemente adoptados, a los 10 nanómetros. Las compañías estiman que serán capaces de fabricar productos de 10 nanómetros en el año 2016.

Intel es el mayor fabricante del mundo de semiconductores. Por su parte, Samsung y Toshiba son, respectivamente, el primer y segundo principal fabricante de memorias NAND flash del mundo. Los tres juntos tienen previsto formar un consorcio de 10 compañías que desarrollan productos en la industria de los semiconductores y en otras relacionadas.

De hecho, Intel y Samsung ya están acercándose al tamaño atómico con su técnica de litografía. La litografía es el proceso de crear celdas y transistores en silicio, que son utilizados para almacenar bits de datos. Actualmente, las compañías están produciendo chips flash de 20 nanómetros que almacenan uno, dos o tres bits por celda. Un nanómetro es la millonésima parte de un milímetro. Con 25 nanómetros, la circuitería NAND flash es 3.000 veces más fina que un cabello humano.

Mientras que las tres compañías tienden a utilizar la litografía más pequeña para conseguir chips NAND flash más densos, Intel podría utilizarla para desarrollar microprocesadores más rápidos. Así al menos lo ha publicado el Nikkei Daily. La agencia de noticias Nikkei también ha publicado que el Ministerio de Economía, Comercio e Industria de Japón, podría financiar hasta la mitad del coste del proyecto o, en su defecto, podría invertir 61 millones de dólares de un total de 122 millones de dólares que podría costar el mismo. Las compañías pondrían el resto del dinero necesario.

En julio, Toshiba anunció el inicio de la construcción de una nueva planta de fabricación de chips NAND flash, llamada Fab 5, se encuentra en Yokkaichi City, Japón.

La memoria NAND flash ha sido el principal cambio que se ha producido en la tecnología en los últimos años, impulsado en parte por la creciente capacidad de almacenamiento de los centros de datos, los portátiles de gama alta como el MacBook Air de Apple o las tarjetas de memoria de los dispositivos móviles. Apple ha impulsado en gran medida las tasas de adopción de este tipo de productos con el uso de NAND flash en sus populares iPod e iPhone, cuyas ventas han contribuido a reducir los costes de producción de las memorias flash.

iSuppli prevé que el mercado global de memoria flash crezca de los 530 millones de unidades de este año a los 9.500 millones de unidades en 2013, cuando tendrá un valor de 26.500 millones de dólares. El mercado para chips de memoria de alta capacidad también crecerá enormemente, debido al aumento del número de smartphones. Cuantas más características ofrecen, como pantallas táctiles, acceso inalámbrico a Internet o capacidades de vídeo, más capacidad de almacenamiento necesitan. Pero para que la memoria NAND flash compita con los discos duros tradicionales, los costes de producción tienen que bajar mucho más. Produciendo chips NAND flash más densos, los fabricantes pueden empaquetar más capacidad en el mismo espacio, recudiendo así también los costes de los mismos.

En cualquier caso, existen problemas inherentes a la reducción de la circuitería utilizada en semiconductores, en particular, un incremento de las tasas de error de datos de los electrones que se filtran a través de las paredes de silicio, que son cada vez más delgadas. Eso requiere el desarrollo de código de corrección de errores (ECC) más sofisticado. Sin embargo, requiere redundancia de código y latencia de lectura de datos a media que crece el número de errores que deben ser corregidos.

Lo cierto es que, a día de hoy, se han estudiado diversos materiales por parte de los fabricantes de memoria para aliviar el problema. Diferentes compañías están explorando las posibilidades de la tecnología RRAM, Resistive Random-Access Memory. En lugar de utilizar silicio como material resistente, RRAM emplea un filamento o ruta de conducción en el silicio.

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