Mercado en cifras | Artículos | 01 NOV 2008

El gasto mundial en semiconductores descenderá un 22 por ciento en 2008

Afecta especialmente a los segmentos de memorias DRAM y NAND flash
Hilda Gómez.
Un informe de Gartner señala que la continua incertidumbre económica, unida a la debilidad de los mercados de memorias, hará que el gasto total en semiconductores a nivel mundial alcance los 49.200 millones de dólares en 2008, lo que refleja un descenso de la inversión en equipamiento del 22,7 por ciento con respecto a 2007.
Con estas cifras, la consultora revisa a la baja el pronóstico realizado el pasado mes de abril, en el que preveía una caída del gasto del 19,8 por ciento para este año.
Los analistas de Gartner señalan la existencia de un exceso de oferta significativo en los segmentos de memorias DRAM y NAND flash, debido a la caída precipitada de los precios y a las presiones de los fabricantes de memorias por aumentar su rentabilidad. En este sentido, se espera que el gasto mundial en memorias descienda un 32,1 por ciento, con las memorias DRAM bajando un 40,5 por ciento y las NAND flash un 19 por ciento.
“En los próximos seis a doce meses habrá un nuevo período de riesgo e incertidumbre para las industrias de equipamiento y fabricación de semiconductores”, asegura Klaus Rinnen, vicepresidente ejecutivo del grupo de fabricación de semiconductores de Gartner. “La explosión de la burbuja del consumo de memorias DRAM probablemente no haya sido una sorpresa para nadie, pero el hecho de que esto coincida con las presiones de la desaceleración económica y la incertidumbre sobre el impacto que ello tendrá sobre la demanda de semiconductores añade un riesgo significativo a un pronóstico ya sombrío para la inversión en equipamiento”, añade Rinnen.
Todos los sectores de equipamiento de semiconductores mantienen la tendencia que señala un descenso de doble dígito para el año en curso. Pese a ello, Klaus Rinnen se muestra optimista asegurando que “aún estamos pronosticando una recuperación de la inversión para 2009, que se producirá a medida que se resuelva el problema relativo al exceso de existencias de memorias DRAM”.

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