Intel fabrica nuevos transistores para sus CPU de 45 nanómetros
Intel ha anunciado el desarrollo de una nueva generación de transistores en la que ha añadido dos capas, conocidas como High-K y Metal gate. La implementación de este nuevo tipo de transistores ofrece, según la compañía, hasta un 20 por ciento de mejora en el rendimiento, una bajada en el consumo del 5 por ciento, así como una reducción de oxido del 10 por ciento.
Para la elaboración de este nuevo transistor, Intel ha tenido que sustituir varias capas, o puertas lógicas, de sus transistores tradicionales MOS, que se introdujeron a finales de la década de los 60, y por los que fluye el voltaje.
La primera de ellas, supone cambiar los transistores de polisilicona NMOS y PMOS (para intercambiar el voltaje de positivo a negativo), por una nueva puerta lógica, de metal (Metal gate), mucho más eficiente. Por otra parte, también se ha modificado la capa de enlace con el sustrato de silicona, hasta ahora fabricado a base de dióxido de silicona (SIO2), poniendo en su lugar la puerta lógica conocida como High-K, que está basada en el metal Hafnio (Hf, número atómico 72). La adopción de ambas puertas lógicas de metal produce unos transistores más responsables en cuanto al consumo eléctrico se refiere, lo que revierte directamente en una mayor eficiencia energética, además de un mayor rendimiento general, ya que los transistores NMOS y PMOS tenían cierta latencia asociada, que se minimiza con el nuevo diseño.
Los nuevos transistores de Intel harán su debut oficial con los primeros procesadores de 45 nanómetros de la compañía, cuya producción comenzará a finales de este año 2007 en sus fábricas de Oregón y Arizona, y en la primera mitad de 2008 en la nueva Fab 28 de Israel. Estos procesadores, conocidos como Penryn, contarán con 410 millones de transistores, en su versión de doble núcleo, y con 820 millones de transistores en su versión de cuatro cores.
La primera de ellas, supone cambiar los transistores de polisilicona NMOS y PMOS (para intercambiar el voltaje de positivo a negativo), por una nueva puerta lógica, de metal (Metal gate), mucho más eficiente. Por otra parte, también se ha modificado la capa de enlace con el sustrato de silicona, hasta ahora fabricado a base de dióxido de silicona (SIO2), poniendo en su lugar la puerta lógica conocida como High-K, que está basada en el metal Hafnio (Hf, número atómico 72). La adopción de ambas puertas lógicas de metal produce unos transistores más responsables en cuanto al consumo eléctrico se refiere, lo que revierte directamente en una mayor eficiencia energética, además de un mayor rendimiento general, ya que los transistores NMOS y PMOS tenían cierta latencia asociada, que se minimiza con el nuevo diseño.
Los nuevos transistores de Intel harán su debut oficial con los primeros procesadores de 45 nanómetros de la compañía, cuya producción comenzará a finales de este año 2007 en sus fábricas de Oregón y Arizona, y en la primera mitad de 2008 en la nueva Fab 28 de Israel. Estos procesadores, conocidos como Penryn, contarán con 410 millones de transistores, en su versión de doble núcleo, y con 820 millones de transistores en su versión de cuatro cores.
