NEC desarrolla una memoria de bajo consumo para implantarla en teléfonos móviles
La uPD4616112 tiene una estructura de 1 MB word x 16-bit y es compatible con el tamaño y diseño de los modelos SRAM I/O de bajo consumo y 16 bits con encapsulado flip ball grid array de 48 patillas. La unidad disipa en reposo 100 microamperios y 10 microamperios en modo apagado.
Al combinar la tecnología de proceso DRAM de alta densidad junto con las celdas, la RAM puede llegar a ofrecer una densidad de memoria más elevada si se encontrara en un encapsulado más pequeño.
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