Fujitsu desarrolla un nuevo tipo de memorias
Fujitsu ha multiplicado prácticamente por cuatro la velocidad de las memorias DRAM existentes hoy en día con un nuevo tipo de memoria denominada RAM de Ciclo Rápido o FCRAM .
La velocidad de esta memoria establece un ciclo de acceso aleatorio de 20 nanosegundos, de modo que la FCRAM estará dirigida a aplicaciones de alto rendimiento como servidores de alta capacidad y procesamiento de imagen 3D . Las primeras memorias de esta clase que sean lanzadas al mercado, allá por el año 2000 según las previsiones de Fujitsu, dispondrán de una capacidad de 64 MB, aunque irán incrementando su capacidad .
En los últimos tiempos la memoria ha evolucionado de la EDO RAM a la SDRAM y a la Direct Rambus DRAM, que incrementa el ancho de banda y de la que compañías como Toshiba y LG Semicon ya han comenzado a lanzar unidades al mercado . Sin embargo, en el mercado OEM no estará disponible hasta el próximo año . Una de las formas en las que hoy en día se puede incrementar la velocidad de las memorias DRAM es aumentando la frecuencia de 66 a 100 MHz, pero, incluso así, el ciclo de tiempo es de 70 nanosegundos .
Con la FCRAM, sin embargo, a las direcciones de filas y columnas se accede de forma simultánea y no secuencial, por lo que se incrementa la velocidad de las operaciones, e incluso, puede llegar más lejos, puesto que una memoria de esta clase puede iniciar una operación antes de haber finalizado la anterior .
No obstante, no son estas las únicas compañías que están tratando de incrementar la velocidad de la DRAM, el año pasado, NEC desarrolló una tecnología, denominada Virtual Channel Memory, VCM, con ese mismo propósito .
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