Epson contará con un nuevo centro I+D para impresoras y proyectores
Epson tiene previsto iniciar la construcción de un nuevo centro de investigación y desarrollo (I+D) a finales de este año. La corporación ha anunciado la ubicación de estas nuevas instalaciones, con las que se pretende mejorar las líneas de impresoras y proyectores de la compañía.
Según los datos facilitados por Epson, el centro se ubicará en las actuales instalaciones que la compañía posee en la localidad japonesa de Hirooka. Su coste aproximado será de 19.000 millones de yenes, unos 173 millones de dólares. Está previsto que pueda abrir sus puertas en enero de 2006 y que albergue a cerca de mil investigadores, según el portavoz de la compañía, Kenkichi Shibata.
Epson espera que, al trabajar todos estos ingenieros juntos, se cree una mayor interacción y permita que se produzcan innovaciones que, de otra forma, resultarían casi imposibles.
No es la primera vez que este fabricante lleva a cabo una iniciativa parecida. De hecho, ya invirtió 30.000 millones de yenes en un centro I+D de su factoría Fujimi, que se completó en el año 2000, y que conllevó la unión de sus divisiones de semiconductores y de pantallas de cristal líquido. Un inversión que se rentabilizó con el desarrollo de muchas tecnologías relacionadas con las pantallas OLED (Organic Light Emitting Diode), las memorias ferroeléctricas (FeRAM) y los paneles de polisilicio de baja temperatura con altas densidades.
Epson espera que, al trabajar todos estos ingenieros juntos, se cree una mayor interacción y permita que se produzcan innovaciones que, de otra forma, resultarían casi imposibles.
No es la primera vez que este fabricante lleva a cabo una iniciativa parecida. De hecho, ya invirtió 30.000 millones de yenes en un centro I+D de su factoría Fujimi, que se completó en el año 2000, y que conllevó la unión de sus divisiones de semiconductores y de pantallas de cristal líquido. Un inversión que se rentabilizó con el desarrollo de muchas tecnologías relacionadas con las pantallas OLED (Organic Light Emitting Diode), las memorias ferroeléctricas (FeRAM) y los paneles de polisilicio de baja temperatura con altas densidades.
