Toshiba trabaja en el desarrollo de una nueva tecnología para memorias

Infineon y Toshiba acaban de formar una alianza para desarrollar un nuevo tipo de tecnología para las memorias. Este desarrollo está basado en el principio ferroeléctrico, según han dado a conocer las implicadas. FeRAM (RAM Ferro eléctrica) emplea menos voltaje que las memorias DRAM y SDRAM, ampliamente usadas hoy en día, y puede almacenar más información cuando la energía está completamente apagada, según lo señalado por el portavoz de Infineon, Marius Dittert.
"Las FeRAM consumen muy poca potencia. Además, existen técnicas específicas para hacer que este tipo de memorias sean muy pequeñas, los que les convierten en muy atractivas para los dispositivos portátiles", añade este responsable, quien también se ha encargado de señalar que se espera un chip comercial de 32 MB, destinado a los teléfonos móviles, para finales de 2002. Además, y dependiendo de las condiciones del mercado, se está plantando la futura colaboración con otros socios de la industria para el desarrollo de versiones a 64 y 128 MB.
Toshiba e Infineon se reparten de manera equitativa el coste del desarrollo tecnológico. Es decir, serán 30 los millones de dólares que tendrán que desembolsar cada una de ellas. Infineon enviará a parte de sus ingenieros a la sede que Toshiba posee en Yokohama, en Japón.
Cabe señalar, asimismo, que este anuncio se produce días después de que la propia Infineon e IBM dieran a conocer algunos detalles sobre un proyecto conjunto en el que están trabajando, y que tiene como fin desarrollar otro tipo de memorias, la MRAM (RAM Magnéticas). Ambas tecnologías tienen en común el hecho de que pueden almacenar información cuando los terminales están apagados. Sin embargo, FeRAM es más rápida, aunque MRAM puede almacenar más datos.

Fabricante: Toshiba
Internet: www.toshiba