| Noticias | 21 ENE 2009

Memorias DDR3 más rápidas y económicas

Tags: Histórico
Fabricantes como Samsung y Elpida han anunciado el comienzo de la producción en volumen este mismo mes de enero de memorias DDR3 basadas en tecnología de 50 nanómetros. Los nuevos modelos contarán con mayores densidades y velocidades, reduciendo los períodos de latencia, el consumo energético y, en consecuencia, su precio.
Encarna González

Las nuevas memorias con módulos de formato DIMM utilizan procesos de inmersión litográfica combinados con tecnología de interconexión de cobre, lo que proporciona hasta un 25 por ciento de mayor velocidad sobre las memorias estándar con interconexión de aluminio.

Así, los nuevos chips funcionarán a 2,5 Gbps en una memoria estándar de 1,5 voltios, aunque también podrán utilizarse a 1,2 voltios y hasta 1,6 Gbps. Cabe señalar que, según han apuntado desde ambas firmas, la producción inicial de estas memorias está prevista que sea de modelos con densidades de 1 GB.

La celebración de la feria CES hace unas semanas, también ha servido para la presentación del modelo de Corsair, Dominador GT 2GHz CL7 DDR3 DIMM, que ya incluye los chips de Elpida. Por su parte, las memorias de Samsung que emplean procesos basados en 50 nanómetros serán de 2GB y se espera que entren en proceso de producción este año permitiendo, según la firma, un incremento de la productividad de un 60 por ciento respecto a modelos DDR2 equivalentes.

Sin duda, 2009 va a ser un año decisivo en el desarrollo de las memorias DDR3 ya que otros fabricantes, como Qimonda, que ya ha presentado su modelo basado en tecnologías de fabricación de 46 nanómetros, también están abordando este mercado. Y es que, según datos de la consultora IDC, las ventas de memorias DDR3 llegar al 72 por ciento en 2011.

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